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J-GLOBAL ID：200902198567792540   整理番号：96A0283540

粗い多結晶シリコン表面上に形成した酸化物窒化物酸化物膜の伝導機構

Conduction mechanism of oxide-nitride-oxide film formed on the rough polycrystalline silicon surface.

著者 (2件)： MATSUO N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SASAKI A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 39  号： 3  ページ： 337-342  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不均一粒子による標記膜の伝導機構を研究した。正バイアスにおい...

シソーラス用語： 多結晶 ,...

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分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶シリコン ,  酸化物 ,  窒化物 ,  酸化物膜 ,  伝導