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J-GLOBAL ID：200902198568892476   整理番号：97A0514794

階段型および傾斜型ヘテロ構造のAlGaN/GaN/SiCにおける移動度の増加

Mobility enhancements in AlGaN/GaN/SiC with stair-step and graded heterostructures.

著者 (6件)： LIN C F (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHENG H C (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUANG J A (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FENG M S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  GUO J D (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHI G C (National Central Univ., Chungli, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 19  ページ： 2583-2585  発行年： 1997年05月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三種類のAl_0.08Ga<sub>0...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 階段型 ,  傾斜型 ,  ヘテロ構造 ,  AlGaN ,  GaN ,  SiC ,  移動度