BaTiO3-SrTiO3人工変調構造の作製と誘電的性質

文献

J-GLOBAL ID：200902198647821690 整理番号：98A0950486

BaTiO₃-SrTiO₃人工変調構造の作製と誘電的性質

Preparation and Dielectric Property of BaTiO₃-SrTiO₃ Artificially Modulated Structures.

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巻： 37 号： 9B ページ： 5104-5107 発行年： 1998年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記不揮発性メモリ膜(Ba1-xSr<...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜

引用文献 (10件)：

1) K. Abe and S. Komatsu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 6461
2) K. Abe and S. Komatsu: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 361 (1995) 465.
3) K. Abe, S. Komatsu, N. Yanase, K. Sano and T. Kawakubo: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5846
4) J. V. Mantese, N. W. Shubring, A. L. Micheli, A. B. Catalan, M. S. Mohammed, R. Naik and G. W. Auner: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2047
5) K. Iijima, T. Terashima, Y. Bando, K. Kamigaki and H. Terauchi: J. Appl. Phys. 72 (1992) 2840

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