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J-GLOBAL ID：200902198648362796   整理番号：93A0478022

融液成長中のシリコン結晶内の点欠陥の拡散 II 一拡散体模型

Diffusion of Point Defects in Silicon Crystals during Melt-Growth. II. One Diffusor Model.

著者 (4件)： HABU R (Nippon Steel Corp., Kawasaki) ,  KOJIMA K (NSC Electron Corp., Yamaguchi) ,  HARADA H (NSC Electron Corp., Yamaguchi) ,  TOMIURA A (Nippon Steel Corp., Chiba)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32  号： 4  ページ： 1747-1753  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 点欠陥が一種類の場合の標記拡散を記述する現象論的拡散方程式を...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： OSFリング

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 融液成長 ,  シリコン結晶 ,  点欠陥 ,  拡散 ,  模型