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J-GLOBAL ID：200902198847806636   整理番号：94A0149927

Peculiarities of thermal donors generation and oxygen precipitation at 650°C with silicon irradiated by neutrons.

著者 (6件)： NEJMASH V B (Inst. Physics, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN) ,  POMOZOV Y V (Inst. Physics, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN) ,  SHAKHOVTSOV V I (Inst. Physics, Academy of Sciences of the Ukraine, Kiev, SUN) ,  CABALDIN A N (Lab. Solid State Electronic Materials, Drogobich, SUN) ,  MALKO L R (Lab. Solid State Electronic Materials, Drogobich, SUN) ,  TSMOTS V M (Lab. Solid State Electronic Materials, Drogobich, SUN)
資料名： Defect and Diffusion Forum  (Defect and Diffusion Forum)
巻： 103/105  ページ： 537-542  発行年： 1993年 
JST資料番号： D0958B  ISSN： 1012-0386  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)