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J-GLOBAL ID：200902198942895182   整理番号：02A0436135

強くn型のバルクSiにおける1個毎のドーパント原子とクラスタの原子スケール像形成

Atomic-scale imaging of individual dopant atoms and clusters in highly n-type bulk Si.

著者 (5件)： VOYLES P M (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  MULLER D A (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  GRAZUL J L (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  CITRIN P H (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  GOSSMANN H-J L (Agere Systems, New Jersey, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 416  号： 6883  ページ： 826-829  発行年： 2002年04月25日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積回路のシリコン基トランジスタが小さくなるに連れて,不純物...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  Si ,  ドーパント ,  原子 ,  クラスタ ,  原子スケール ,  像形成