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J-GLOBAL ID：200902199030358204   整理番号：94A0068913

高速偏光解析によるSi表面酸化超薄膜成長速度の基板結晶方向依存

Crystal orientation dependence of ultra thin oxide film growth on silicon surface by rapid ellipsometry.

著者 (4件)： 黒木博 (筑波大 物理学系) ,  中村一隆 (金材技研) ,  河辺隆也 (筑波大 物理学系) ,  北島正弘 (金材技研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(分科会)  (日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1993  号： Autumn Pt 2  ページ： 501  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： S0872B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏光解析 ,  Si ,  表面酸化 ,  超薄膜 ,  成長速度 ,  結晶方向