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J-GLOBAL ID：200902199542953350   整理番号：99A0282998

低圧有機金属気相成長を用いたAlNおよびAlGaNの成長

AlN and AlGaN growth using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (6件)： NAKAMURA F (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  HASHIMOTO S (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  HARA M (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IMANAGA S (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IKEDA M (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  KAWAI H (Sony Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 195  号： 1/4  ページ： 280-285  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧 ,  有機金属 ,  気相成長 ,  AlN ,  AlGaN ,  成長