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J-GLOBAL ID：200902199805636931   整理番号：02A0475803

トップゲート電極を用いたカーボンナノチューブ電界効果トランジスタの垂直スケーリング

Vertical scaling of carbon nanotube field-effect transistors using top gate electrodes.

著者 (5件)： WIND S J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  APPENZELLER J (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  MARTEL R (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  DERYCKE V (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  AVOURIS P (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 20  ページ： 3817-3819  発行年： 2002年05月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ構造中に単一壁...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： トランスコンダクタンス

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分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トップ ,  ゲート電極 ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  垂直 ,  スケーリング