水素化非晶質シリコンの高速蒸着に用いる遠隔SiH<sub>4</sub>プラズマ中の膜成長前駆体

KESSELS W M M; VAN DE SANDEN M C M; SCHRAM D C

文献

J-GLOBAL ID：200902199875416564 整理番号：00A0906765

水素化非晶質シリコンの高速蒸着に用いる遠隔SiH₄プラズマ中の膜成長前駆体

Film growth precursors in a remote SiH₄ plasma used for high-rate deposition of hydrogenated amorphous silicon.

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巻： 18 号： 5 ページ： 2153-2163 発行年： 2000年09月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

デバイス品質のa-Si:H薄膜の高速成長が可能な遠隔Ar-H...

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半導体薄膜 , 荷電体衝撃・放電による反応

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水素化非晶質シリコンの高速蒸着に用いる遠隔SiH4プラズマ中の膜成長前駆体

水素化非晶質シリコンの高速蒸着に用いる遠隔SiH₄プラズマ中の膜成長前駆体