干渉リソグラフィーとネガ型レジストを用いた200nm周期のナノマグネットアレイの作製

FARHOUD M; FERRERA J; LOCHTEFELD A J; MURPHY T E; SCHATTENBURG M L; CARTER J; ROSS C A; SMITH H I

文献

J-GLOBAL ID：200902199990450490 整理番号：00A0122755

干渉リソグラフィーとネガ型レジストを用いた200nm周期のナノマグネットアレイの作製

Fabrication of 200nm period nanomagnet arrays using interference lithography and a negative resist.

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資料名：
巻： 17 号： 6 ページ： 3182-3185 発行年： 1999年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

干渉リソグラフィーによるフォトレジスト中のホール形成と続く磁...

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固体デバイス製造技術一般 , 電子・磁気・光学記録

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