CoFe/Pd多層と強磁性挿入層とを有するMgO障壁 垂直磁気トンネル接合

MIZUNUMA K.; IKEDA S.; PARK J. H.; YAMAMOTO H.; GAN H.; MIURA K.; HASEGAWA H.; HAYAKAWA J.; MATSUKURA F.; OHNO H.

文献

J-GLOBAL ID：200902200168212276 整理番号：09A1288928

CoFe/Pd多層と強磁性挿入層とを有するMgO障壁垂直磁気トンネル接合

MgO barrier-perpendicular magnetic tunnel junctions with CoFe/Pd multilayers and ferromagnetic insertion layers

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巻： 95 号： 23 ページ： 232516 発行年： 2009年12月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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CoFe/Pd多層電極を有するMgO障壁磁気トンネル接合(MTJ)について,トンネル磁気抵抗効果(TMR)に及ぼす強磁性層(Co₂₀Fe₆₀B₂₀またはFe)挿入の効果を調べた。CoFeB/MgO/Fe積層を有するMTJでのTMR比は,アニーリング温度(T_a)200°Cで67%に達し,250°Cより高温のT_aで急速に低下した。このTMR比の劣化は,Pd層へのBの拡散から起こるfcc(111)またはbcc(011)組織へのCoFe(B)の結晶化に関連があると推論した。底部CoFe/Pd多層の堆積直後に350°Cでin situアニーリングしたMTJは,T_a=200°Cでの後アニーリングによって,78%のTMR比を示した。(翻訳著者抄録)

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