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J-GLOBAL ID：200902200247295489   整理番号：08A0104460

薄いGe層をもつ反転型拡張モードHfO₂ベースGaAs金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Inversion-type enhancement-mode HfO2-based GaAs metal-oxide-semiconductor field effect transistors with a thin Ge layer

著者 (10件)： KIM Hyoung-sub (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  OK I. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHANG M. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHU F. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  PARK S. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  YUM J. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  ZHAO H. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  LEE Jack C. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  OH Jungwoo (SEMATECH, FEP Div., 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741, USA) ,  MAJHI Prashant (SEMATECH, FEP Div., 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 3  ページ： 032907  発行年： 2008年01月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いゲルマニウム(Ge)界面不動態化層(IPL)を使用して,GaAs HfO₂ベース反転型拡張モード金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を実現した。半絶縁性GaAs基板上のnチャンネルMOSFETは,ゲートバイアスによる表面変調と優れた電流制御を明確に示した。約0.5Vの閾値電圧,約0.25mS/mmの相互コンダクタンス,約130mV/decadeのサブ閾値変動,V_d=2VとV_g=V_th+2Vで約162μA/mm(1μmのゲート長さに規格化)のドレイン電流を得た。以前の報告と比較して,Ge IPLとHfO₂誘電体による反転型GaAs MOSFETのdc特性は非常に類似した結果を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *金属薄膜 ,  反転 ,  酸化ハフニウム ,  ヒ化ガリウム ,  *MOSFET ,  不動態化 ,  電気的性質 ,  基板 ,  ゲート【半導体】 ,  バイアス ,  電流制御 ,  電圧 ,  閾値 ,  相互コンダクタンス ,  ドレイン【半導体】 ,  電流 ,  誘電体

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反転型 ,  拡張 ,  HfO2 ,  GaAs ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ