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J-GLOBAL ID：200902200454068506   整理番号：09A1274506

原子層蒸着によって成長した高k HfO₂ゲート誘電体を持つ低電圧溶液処理nチャネル有機電界効果トランジスタ

Low-voltage solution-processed n-channel organic field-effect transistors with high-k HfO₂ gate dielectrics grown by atomic layer deposition

著者 (4件)： TIWARI Shree Prakash (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  ZHANG Xiao-hong (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  POTSCAVAGE William J. (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...) ,  KIPPELEN Bernard (Center for Organic Photonics and Electronics (COPE), School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 22  ページ： 223303  発行年： 2009年11月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低動作電圧(3V)での[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステルに基づく高性能の溶液処理nチャネル有機電界効果トランジスタを,原子層蒸着によって成長した高k二酸化ハフニウムゲート誘電体を用いて実証した。素子は,0.14cm²/Vsまで電子移動度値,約0.3Vの閾値電圧,>10⁵の電流オン/オフ比,および非常に低い閾下勾配値(約140mV/decade)の優れたnチャネル性能を表した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化ハフニウム ,  酸化膜 ,  電圧 ,  溶液 ,  N型半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  電流 ,  比率 ,  勾配 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ゲート誘電体 ,  原子層蒸着 ,  低電圧 ,  電子移動度 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  閾値電圧

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層蒸着 ,  成長 ,  HfO2 ,  ゲート誘電体 ,  低電圧 ,  溶液処理 ,  Nチャネル ,  有機電界効果トランジスタ