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J-GLOBAL ID：200902200487652602   整理番号：05A0154215

非対称単極性電圧パルスで駆動される簡単な二元酸化物を用いた高度スケーラブル不揮発性抵抗性メモリ

Highly Scalable Non-volatile Resistive Memory using Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses

著者 (9件)： BAEK I G (Samsung Electronics Co., Ltd.) ,  LEE M S (Samsung Electronics Co., Ltd.) ,  SEO S (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR) ,  LEE M J (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR) ,  SEO D H (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR) ,  SUH D-S (Samsung Advanced Inst. Technol., Kyeonggi-Do, KOR) ,  PARK S O (Samsung Electronics Co., Ltd.) ,  KIM H S (Samsung Electronics Co., Ltd.) ,  CHUNG U-I (Samsung Electronics Co., Ltd.)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004  ページ： 587-590  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗性メモリは20年以上前に検討されたが,高い動作電圧・電流...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： 抵抗性メモリ ,...

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分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非対称 ,  単極性 ,  電圧パルス ,  酸化物 ,  高度 ,  不揮発性 ,  抵抗性