軸外し位相シフト電子ホログラフィーによるGaAs半導体中ドーパント濃度分布測定

文献

J-GLOBAL ID：200902200528982094 整理番号：06A1036457

Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off-axis phase-shifting electron holography

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著者 (8件)：

SASAKI H.

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(Material R&D Lab., Japan Fine Ceramics Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya 456-8587, JPN)

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YAMAMOTO K.

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HIRAYAMA T.

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OOTOMO S.

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