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J-GLOBAL ID：200902200940268487   整理番号：04A0442443

分子線エピタキシーによって成長させたZnO膜の真性欠陥

Intrinsic Defects in ZnO Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (5件)： TATSUMI T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWAMOTO N (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SASAJIMA M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HORIKOSHI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 5A  ページ： 2602-2606  発行年： 2004年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーで成長させたZnO膜中の真性欠陥を,O<s...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (20件)：

• 1) Y. Kayamura: Phys. Rev. B 38 (1988) 9797.
• 2) A. Ohtomo, M. Kawasaki, Y. Sakurai, I. Ohkubo, R. Shiroki, Y. Yoshida, T. Yasuda, Y. Segawa and H. Koinuma: Mater. Sci. Eng. B 56 (1998) 263.
• 3) T. Makino, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, Y. Matsumoto and H. Koinuma: Appl. Surf. Sci. 189 (2002) 277.
• 4) Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu and G. K. L. Wong: Phys. Status Solidi B 202 (1997) 669.
• 5) M. Joseph, H. Tabata and T. Kawai: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1205.

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  ZnO ,  真性欠陥