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J-GLOBAL ID：200902168749127449   整理番号：97A0868711

レーザMBEによるZnO薄膜成長 室温での励起子レーザ発振

Growth of ZnO Thin Film by Laser MBE: Lasing of Exciton at Room Temperature.

著者 (7件)： SEGAWA Y (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  OHTOMO A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWASAKI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANG Z K (Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  YU P (Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  WONG G K L (Hongkong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 202  号： 2  ページ： 669-672  発行年： 1997年08月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のZnO薄膜をレーザMBEによって成長させた。純粋なセ...

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザMBE ,  ZnO薄膜 ,  成長 ,  室温 ,  励起子 ,  レーザ発振