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J-GLOBAL ID：200902201037257165   整理番号：05A0737534

rfマグネトロンスパッタリングにより合成したZnO:Ga膜の性質に及ぼす真空アニーリングの影響

Influence of Vacuum Annealing on Properties of ZnO:Ga Films Prepared by r.f. Magnetron Sputtering

著者 (7件)： MA Jin (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  YU Xuhu (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  JI Feng (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  WANG Yuheng (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHANG Xijian (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  CHENG Chuanfu (Shandong Normal Univ., Jinan, CHN) ,  MA Honglei (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 34  号： 7  ページ： 1166-1168  発行年： 2005年07月 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ZnO粉末とGa₂O₃(3%添加)粉末とを混合し,1200°Cで焼結してセラミックターゲットを作製,これをターゲットに用いて,rfマグネトロンスパッタリング法により低温でガラス基板上に透明導電性ガリウムドープ酸化亜鉛(ZnO:Ga)薄膜を作製した。そして300K~673Kの温度で真空アニーリングを行い,ZnO:Ga膜の構造,電気および光学特性に及ぼす効果を調べた。その結果,ZnO:Ga膜の電気抵抗率および平均透過率は,真空アニーリングにより改良された。平均透過率は,83%→90%以上となり,電気抵抗率は,1.13×10^-3Ω・cm→5.4×10^-4Ω・cmまでアニール処理後低下した。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *蒸着膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  セラミック膜 ,  真空 ,  *焼なまし ,  酸化ガリウム ,  粉体 ,  ターゲット ,  基板 ,  ガラス ,  透明材料 ,  *透過率 ,  電気抵抗率 ,  膜 ,  透明導電膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  ZnO ,  Ga ,  性質 ,  真空 ,  アニーリング