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J-GLOBAL ID：200902201789653620   整理番号：07A0688276

不揮発性メモリ回路におけるドライバMOSFETのFN劣化の総合的研究

A Comprehensive Study of FN Degradation for Driver MOSFETs in Nonvolatile Memory Circuit

著者 (7件)： AONO H. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  MURAKAMI E. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  MIZUNO T. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  SATO H. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  HARAGUCHI K. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  KATO M. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  KUBOTA K. (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 44th Vol.1  ページ： 71-75  発行年： 2006年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ回路におけるドライバMOSFETについて,Fo...

シソーラス用語： トンネル効果 ,...
準シソーラス用語： ゲート電流 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリ ,  ドライバ ,  MOSFET ,  研究