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J-GLOBAL ID：200902202301295808   整理番号：03A0360928

プラズマ蒸着し水素化した非晶質けい素の表面水素化物組成:イオンフラックス依存性と温度依存性のその場赤外研究

Surface hydride composition of plasma deposited hydrogenated amorphous silicon: in situ infrared study of ion flux and temperature dependence.

著者 (5件)： MARRA D C (Univ. California Santa Barbara, CA, USA) ,  KESSELS W M M (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  VAN DE SANDEN M C M (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  KASHEFIZADEH K (Univ. California Santa Barbara, CA, USA) ,  AYDIL E S (Univ. California Santa Barbara, CA, USA)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 530  号： 1/2  ページ： 1-16  発行年： 2003年04月20日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場ATR-FTIRを使ってプラズマ蒸着したa-Si:H膜...

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,...
準シソーラス用語： プラズマ蒸着

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分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ蒸着 ,  水素化 ,  非晶質けい素 ,  水素化物 ,  組成 ,  イオンフラックス ,  依存性 ,  温度依存性 ,  赤外 ,  研究