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J-GLOBAL ID：200902202320832660   整理番号：03A0516264

圧電光熱分光法で調べたZnSSeエピタキシャル層中の非発光電子-正孔再結合

Nonradiative electron-hole recombination in ZnSSe epitaxial layers examined by piezoelectric photothermal spectroscopy
著者 (4件)：
YOSHINO K

YOSHINO K について

(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)

Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN について

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MEMON A

MEMON A について

(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)

Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN について

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YONETA M

YONETA M について

(Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN)

Okayama Univ. Sci., Okayama, JPN について

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ANDO K

ANDO K について

(Tottori Univ., Tottori, JPN)

Tottori Univ., Tottori, JPN について


資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

Journal of Materials Science. Materials in Electronics について


巻： 14  号： 5/7  ページ： 421-425  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分子線エピタクシーによって成長させたノンドープZnSeとZn...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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キャリア再結合

キャリア再結合 について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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圧電

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光熱分光法

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エピタキシャル層

エピタキシャル層 について

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電子-正孔再結合

電子-正孔再結合 について


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