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J-GLOBAL ID：200902202425324687   整理番号：09A0562039

原子層堆積させたAl₂O₃をゲート誘電体として持つGaAsの(111)Aおよび(100)表面上に作製された金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on GaAs (111)A surface with atomic-layer-deposited Al₂O₃ as gate dielectrics

著者 (5件)： XU M. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  WU Y. Q. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  KOYBASI O. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  SHEN T. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  YE P. D. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 21  ページ： 212104  発行年： 2009年05月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積させたAl₂O₃をゲート誘電体として持つGaAsを基本とする反転モード型の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を,(111)Aおよび(100)表面上に作製した。0.75μmの同じ長さのチャンネルを持つ素子について,(111)A表面上に作製したnチャンネル型MOSFETの最大ドレイン電流は15mA/mmで,(100)表面上に作製したnチャンネル型MOSFETの最大ドレイン電流は僅かに1μA/mmであることが分かった。また,(111)Aおよび(100)表面上に作製したpチャンネル型MOSFETの最大ドレイン電流はそれぞれ0.17mA/mmおよび0.8mA/mmであることが分かった。実験的に観測された結果と既存のIII-V-MOS理論を相関づける経験的なモデルを提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MOSFET ,  *MOS構造 ,  結晶方位 ,  電流
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  反転モード ,  ドレイン電流

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  GaAs ,  作製 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ