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J-GLOBAL ID:200902202743318440   整理番号:05A0202432

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の成長プロセスに関する研究

Growth Process of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films
著者 (4件):
資料名:
号: 23  ページ: 61-68  発行年: 2004年07月31日 
JST資料番号: L0877A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ケイ素をベースとした非晶質半導体は種々の光電変換デバイスに使...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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