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J-GLOBAL ID：200902202743318440   整理番号：05A0202432

高品質シリコン系アモルファス半導体薄膜の成長プロセスに関する研究

Growth Process of High Quality Silicon Based Amorphous Semiconductor Films

著者 (4件)： 本橋光也 (東京電機大 工) ,  芦部健太 (東京電機大 工) ,  蛭田泰隆 (東京電機大 工) ,  本間和明 (東京電機大 工)
資料名： 東京電機大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University)
号： 23  ページ： 61-68  発行年： 2004年07月31日 
JST資料番号： L0877A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ケイ素をベースとした非晶質半導体は種々の光電変換デバイスに使...

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,...
準シソーラス用語： FTIRスペクトル

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高品質 ,  シリコン ,  アモルファス ,  半導体薄膜 ,  成長 ,  プロセス ,  研究