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J-GLOBAL ID：200902203024780147   整理番号：09A0812757

サファイア基板上の高結晶度のコランダム構造α-(Ga_1-xFe_x)₂O₃合金薄膜の作製

Fabrication of Highly Crystalline Corundum-Structured α-(Ga_1-xFe_x)₂O₃ Alloy Thin Films on Sapphire Substrates

著者 (4件)： KANEKO Kentaro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NOMURA Taichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAKEYA Itsuhiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 7  ページ： 0755001.1-075501.3  発行年： 2009年07月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高結晶度のコランダム構造α-(Ga_1-xFe_x)₂O₃合金薄膜をc面サファイア基板上にミスト化学蒸着法を用いて作製した。X線回折ロッキングカーブの半値全幅はx=0~1の全範囲で≦100arc秒であった。光バンドギャップは膜中のFe濃度(x)を変えてα-Ga₂O₃とα-Fe₂O₃の光バンドギャップの間の値(即ち2.2~5.3eV)に人工的に調整した。磁気測定からα-(Ga_1-xFe_x)₂O₃(x=0.24)薄膜の強磁性を110Kで明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *コランダム型結晶 ,  基板 ,  金属薄膜 ,  *X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  フォトニックバンドギャップ ,  磁気測定 ,  強磁性 ,  *磁性薄膜 ,  ガリウム化合物 ,  酸化物 ,  鉄化合物 ,  サファイア基板 ,  合金薄膜

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (31件)：

• ROY, R. J. Am. Chem. Soc. 1952, 74, 719
• SUZUKI, N. Phys. Status Solidi C. 2007, 4, 2310
• VILLORA, E. G. J. Cryst. Growth. 2004, 270, 420
• AIDA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 8506
• KOKUBUN, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 031912

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア基板 ,  結晶度 ,  コランダム ,  合金薄膜 ,  作製