エッジ規定膜供給成長法によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の成長

AIDA Hideo; NISHIGUCHI Kengo; TAKEDA Hidetoshi; AOTA Natsuko; SUNAKAWA Kazuhiko; YAGUCHI Yoichi

文献

J-GLOBAL ID：200902289351000319 整理番号：08A1231517

エッジ規定膜供給成長法によるβ-Ga₂O₃単結晶の成長

Growth of β-Ga₂O₃ Single Crystals by the Edge-Defined, Film Fed Growth Method

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=08A1231517&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=08A1231517&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 47 号： 11 ページ： 8506-8509 発行年： 2008年11月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

エッジ規定膜供給成長法による2インチβ-Ga₂O₃単結晶の成長に成功した。大型の単結晶β-Ga₂O₃を得るための成長条件の最適化を詳しく論じた。温度の種付け条件とネック幅が,単結晶成長における最重要な因子と分かった。β-Ga₂O₃結晶のX線ロッキング曲線測定を行い,成長した結晶の転位密度を評価した。KOH溶液を使い,結晶のエッチピット密度を測定して,転位密度を求めた。得られた結果を,ネック幅のような結晶成長パラメータと組み合わせて,現象論的および結晶学的観点から,結晶内転位の伝播の機構とその起源を明かにした。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , ,
,

酸化物の結晶成長

引用文献 (35件)：

T. Minami: MRS Bull.25(2000) No.8, 38.
B. G. Lewis and D. C. Paine: MRS Bull.25(2000) No.8, 22.
H. H. Tippins: Phys. Rev.140(1965) A316.
Z. Hajnal, J. Miro, G. Kiss, F. Reti, P. Deak, R. C. Herndon, and J. M. Kuperberg: J. Appl. Phys.86(1999)3792.
E. G. Villora, K. Shimamura, K. Aoki, and N. Ichinose: J. Cryst. Growth 270(2004)462.

, , , ,

前のページに戻る

エッジ規定膜供給成長法によるβ-Ga2O3単結晶の成長

エッジ規定膜供給成長法によるβ-Ga₂O₃単結晶の成長