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J-GLOBAL ID：200902203064414577   整理番号：09A1105363

未来技術基盤としてのパイ電子科学 含窒素複素環を活用した新規な有機FET材料の開発

著者 (2件)： 西田純一 (東京工大 大学院総合理工学研究科) ,  山下敬郎 (東京工大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 60  号： 11  ページ： 875-882  発行年： 2009年11月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)は,ソース,ドレイン,ゲートの三つの電極と絶縁層,それにキャリア(電子またホール)輸送の通路となる有機半導体層で構成される素子である。窒素原子の縮合反応を利用することで,新しい複素環骨格を含んだ有機半導体の開発が行われ,下記事項について解説した。1)含窒素複素環導入の変遷。2)ジインデノピラジンジオン誘導体を用いた閾値電圧の低下とFET特性。3)チアゾール及び縮環チアゾールを導入したn-型半導体の高性能化,a)チアゾール環の導入,b)チアゾロチアゾール環及びビスチアゾールベンゼン環の導入。4)含ホウ素複素環を利用した新規な有機半導体の開発。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  半導体素子 ,  *窒素複素環化合物 ,  *硫黄複素環化合物 ,  電圧 ,  閾値電圧 ,  チアゾール類
準シソーラス用語： *OFET ,  *有機電界効果トランジスタ ,  *ジインデノピラジンジオン ,  チアゾール誘導体 ,  *チアゾロチアゾール ,  性能特性 ,  特性評価 ,  *有機物半導体 ,  高性能化 ,  材料開発

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  複素環化合物一般  (CF07010Z)

物質索引 (10件)： インデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジオン ,  2,8-ジフルオロインデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジオン ,  2,8-ジクロロインデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジオン ,  2,8-ジブロモインデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジオン ,  1,2,3,4,7,8,9,10-オクタフルオロ-5,11-ジヨードインデノ[1,2-b]フルオレン-6,12-ジオン ,  2,2′-ビス[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-5,5′-ビチアゾール ,  5,5′-ビス[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-2,2′-ビチアゾール ,  5,11-ビス[5-[4-(トリフルオロメチル)フェニル]チオフェン-2-イル]-4,10-ジチア-6,12-ジアザトリシクロ[7.3.0.0^3,7]ドデカン-1(9),2,5,7,11-ペンタエン ,  5,11-ビス(1,1′-ビフェニル-4-イル)-5,11-ジボラ-4,10-ジチア-6,12-ジアザトリシクロ[7.3.0.0^3,7]ドデカン-1(9),2,7-トリエン ,  5,11-ビス(1,1′-ビフェニル-4-イル)-4,10-ジチア-6,12-ジアザトリシクロ[7.3.0.0^3,7]ドデカン-1(9),2,5,7,11-ペンタエン

タイトルに関連する用語 (8件)： 未来技術 ,  基盤 ,  パイ電子 ,  科学 ,  含窒素複素環 ,  活用 ,  有機FET ,  開発