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J-GLOBAL ID：200902203110923520   整理番号：09A0769284

N,N’-ビス(n-ペンチル)テリレン-3,4:11,12-テトラカルボキシジイミド薄膜トランジスタの可変温度特性

Variable temperature characterization of N,N′-Bis(n-pentyl)terrylene-3,4:11,12-tetracarboxylic diimide thin film transistor

著者 (6件)： PETIT Matthieu (Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  HAYAKAWA Ryoma (Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  CHIKYOW Toyohiro (Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  HILL Jonathan P. (World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...) ,  ARIGA Katsuhiko (World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...) ,  WAKAYAMA Yutaka (Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 10  号： 6  ページ： 1187-1190  発行年： 2009年09月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N,N’-ビス(n-ペンチル)テリレン-3,4:11,12-テトラカルボキシジイミド(TTCDI-5C)とAuまたはAl上部接触電極に基づく有機薄膜トランジスタ(OTFT)をSiO₂(200nm)/p-Si(001)基板上に析出した。キャリア移動度を温度の関数として50~310Kの範囲で測定した。2つの異なるキャリア移動挙動を観測した:150K以下の温度に依存しない挙動と150K以上での熱活性化挙動とである。活性化エネルギー値は金属電極(Au,Al)に依存して85~130meVで,これは界面でのキャリア捕獲と最低非占有軌道(LUMO)と各金属の仕事関数との間のエネルギー準位相殺による。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *芳香族カルボン酸 ,  ポリカルボン酸 ,  *酸イミド ,  *金電極 ,  *アルミニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *キャリア移動度 ,  温度依存性 ,  極低温 ,  低温 ,  活性化エネルギー ,  キャリア捕獲 ,  LUMO ,  仕事関数 ,  エネルギー準位

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 2,9-ジペンチルアントラ[2,1,9-def:6,5,10-d′e′f′]ジイソキノリン-1,3,8,10(2H,9H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (6件)： ビス ,  ペンチル ,  テリレン ,  薄膜トランジスタ ,  可変 ,  温度特性