ドープしたシリコンナノ細線における表面偏析と後方散乱

FERNANDEZ-SERRA M. V.; ADESSI Ch.; BLASE X.

文献

J-GLOBAL ID：200902203168763409 整理番号：06A0432126

ドープしたシリコンナノ細線における表面偏析と後方散乱

Surface Segregation and Backscattering in Doped Silicon Nanowires

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巻： 96 号： 16 ページ： 166805.1-166805.4 発行年： 2006年04月28日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

非不動態化および水素不動態化Siナノ細線におけるほう素とりん...

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半導体結晶の電気伝導

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