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J-GLOBAL ID：200902203223774342   整理番号：07A0464428

Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術とインパクト

Technology for epitaxial growth of nitride semiconductor on Si substrate and its impact.

著者 (1件)： 大塚康二 (サンケン電気)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 76  号： 5  ページ： 489-494  発行年： 2007年05月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術の歴史をま...

シソーラス用語： *エピタクシー ,...
準シソーラス用語： HFET

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (21件)：

• 1) L. Liu and J. H. Edger: Mater. Sci. & Eng. R 37, 61 (2002).
• 2) 梅野正義, 神保孝志, 江川孝志: 応用物理72, 273 (2003).
• 3) A. J. Noreika and D. W. Ing : J. Appl. Phys. 39, 5578 (1968).
• 4) H. M. Manasevit, F. M. Erdmann and W. I. Simpson : J. Elctrochem. Soc. 118, 1864 (1971).
• 5) M. Morita, S. Isogai, N. Shimizu, K. Tsubouchi and N. Mikoshiba : Jpn. J. Appl. Phys. 20, L173 (1981).

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  窒化物半導体 ,  エピタキシャル成長 ,  インパクト