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J-GLOBAL ID：200902298841589824   整理番号：03A0192727

Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用

Heteroepitaxy of GaAs- and GaN-based materials on Si and their device applications.

著者 (3件)： 梅野正義 (中部大 工) ,  神保孝志 (名古屋工大 大学院) ,  江川孝志 (名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 72  号： 3  ページ： 273-283  発行年： 2003年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン(Si)基板上へのGaAs系およびGaN系半導体のヘ...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (93件)：

• 秋山正博. 応用物理. 1988, 57, 1742
• 川辺光央. 応用物理. 1988, 1748
• 川浪仁志. 応用物理. 1988, 1754
• 梅野正義. 応用物理. 1988, 1760
• UEDA, O. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 445

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  GaAs ,  GaN ,  結晶 ,  ヘテロエピタキシー ,  応用