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J-GLOBAL ID：200902203314396979   整理番号：06A0624355

超薄シリコンからのエレクトロルミネセンス

Electro-Luminescence from Ultra-Thin Silicon

著者 (12件)： SAITO Shin-ichi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HISAMOTO Digh (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Haruka (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAMAMURA Hirotaka (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Ryuta (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Yuichi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MINE Toshiyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ARAI Tadashi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TORII Kazuyoshi (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KIMURA Shin’ichiro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ONAI Takahiro (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 24-28  ページ： L679-L682  発行年： 2006年07月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンオン絶縁物(SOI)基板上のシリコンの局所酸化(LO...

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (20件)：

• SCHRIEFFER, J. R. Semiconductor Surface Physics. 1957, 55
• ANDO, T. Rev. Mod. Phys. 1982, 54, 437
• CANHAM, L. T. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 1046
• LOCKWOOD, D. J. Silicon Photonics. 2004, 1
• LANDAU, L. D. Sov. Phys. JETP. 1957, 3, 920

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン ,  エレクトロルミネセンス