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J-GLOBAL ID：200902203492772437   整理番号：06A0155370

デカナノメートル装置におけるレーザおよび重イオン照射に誘起される過渡パルスの直接測定

Direct Measurement of Transient Pulses Induced by Laser and Heavy Ion Irradiation in Deca-Nanometer Devices

著者 (15件)： FERLET-CAVROIS V. (CEA, Bruyeres-le-Chatel, FRA) ,  PAILLET P. (CEA, Bruyeres-le-Chatel, FRA) ,  MCMORROW D. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  TORRES A. (CEA, Bruyeres-le-Chatel, FRA) ,  GAILLARDIN M. (ENSERG, Grenoble, FRA) ,  MELINGER J. S. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KNUDSON A. R. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  CAMPBELL A. B. (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  SCHWANK J. R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  VIZKELETHY G. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  SHANEYFELT M. R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  HIROSE K. (Inst. Space and Astronautical Sci., Kanagawa, JPN) ,  FAYNOT O. (CEA, Grenoble, FRA) ,  JAHAN C. (CEA, Grenoble, FRA) ,  TOSTI L. (CEA, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 52  号： 6,Pt.1  ページ： 2104-2113  発行年： 2005年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート長50nmおよび0.25μmのSOIおよびバルク装置の...

シソーラス用語： 重イオン照射 ,...
準シソーラス用語： MNOS構造 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ ,  重イオン照射 ,  誘起 ,  パルス ,  直接測定