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J-GLOBAL ID：200902203517819662   整理番号：08A0979154

高アスペクト比P/Nコラム構造を持つ600V級超接合MOSFET

600V-class Super Junction MOSFET with High Aspect Ratio P/N Columns Structure

著者 (6件)： SAKAKIBARA Jun (DENSO Corp., Aichi, JPN) ,  NODA Yoshitaka (DENSO Corp., Aichi, JPN) ,  SHIBATA Takumi (DENSO Corp., Aichi, JPN) ,  NOGAMI Shoji (SUMCO Corp., Saga, JPN) ,  YAMAOKA Tomonori (SUMCO Corp., Saga, JPN) ,  YAMAGUCHI Hitoshi (DENSO Corp., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 299-302  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワー半導体素子は多くの電力用アプリケーションでスイッチング素子として使用されている。これらの用途ではオン抵抗の低減が重要であるが,ブレークダウン電圧とのトレードオフ関係がある。このようなトレードオフを改善するために超接合(SJ)MOSFETが提案された。SJ-MOSFETでは,オン抵抗を低減するためにp/nコラムのアスペクト比を高める必要がある。本稿では,高アスペクト比p/nコラム構造を持つSJ-MOSFETについて報告した。この構造を作製するプロセスとして新しいトレンチ充填エピタキシャル成長法を開発した。この方法を適用してアスペクト比25のp/nコラム構造を製作した。その結果,IGBTより低いオン抵抗を達成した。

シソーラス用語： MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  半導体接合 ,  *アスペクト比 ,  スイッチング素子 ,  *オン抵抗 ,  *トレンチカット【加工】 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  パワーMOSFET ,  ブレークダウン電圧 ,  超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高アスペクト比 ,  コラム構造 ,  超接合 ,  MOSFET