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J-GLOBAL ID：200902203539156020   整理番号：05A0773540

GaAs-(Ga,Al)As量子井戸における励起子状態に対する静水圧と印加電場の効果

Effects of hydrostatic pressure and applied electric fields on the exciton states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells

著者 (4件)： RAIGOZA N. (Instituto de Fisica, Universidad de Antioquia, AA 1226 Medellin, Colombia) ,  DUQUE C.a. (Instituto de Fisica, Universidad de Antioquia, AA 1226 Medellin, Colombia) ,  REYES-GOMEZ E. (Dep. of Theoretical Physics, Univ. of Havana, San Lazaro y L, Vedado 10400, Havana, Cuba) ,  OLIVEIRA L.e. (Instituto de Fisica, Unicamp, CP 6165, Campinas, Sao Paulo 13083-970, BRA)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 367  号： 1-4  ページ： 267-274  発行年： 2005年10月01日 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静水圧および層に垂直に印加した電場が単一のGaAs-(Ga,...

シソーラス用語： *励起子 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  Ga ,  Al ,  量子井戸 ,  励起子 ,  静水圧 ,  印加 ,  電場