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J-GLOBAL ID：200902203638448289   整理番号：08A1062712

MOS酸化物の放射線効果

Radiation Effects in MOS Oxides

著者 (7件)： SCHWANK James R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  SHANEYFELT Marty R. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  FLEETWOOD Daniel M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FELIX James A. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  DODD Paul E. (Sandia National Lab., NM, USA) ,  PAILLET Philippe (CEA-DIF, Bruyeres-le-Chatel, FRA) ,  FERLET-CAVROIS Veronique (CEA-DIF, Bruyeres-le-Chatel, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 55  号： 4,Pt.1  ページ： 1833-1853  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 宇宙空間環境でのMOSFETからバイポーラICまでの電子機器は多くの型の酸化物と絶縁体を使用しており,電離放射線はこれらのデバイスの性能劣化と損傷を誘起する。特に宇宙空間の電子と陽子は放射線誘起全線量効果を誘起する。主要なタイプの放射線誘起電荷は酸化物トラップ電荷とインタフェーストラップ電荷であり,これらの電荷がしきい電圧シフトや漏れ電流の原因となる。SiO₂の場合の全線量効果を概観した。SiO₂に代わりうるHfO₂と再酸化した窒化酸化物(RNO)の誘電体も研究し,これらが耐放射線性であることを示した。寄生場酸化物とSOI埋め込み酸化物における放射線誘起電荷蓄積もデバイスの劣化と損傷を起こした。宇宙空間の重イオンも単一イベントゲート破壊(SEGR),寿命減少及びパワーMOSFETの大きな電圧シフトを含むいくつかの異なった機構を通して電子機器の酸化物を劣化しうることを示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *バイポーラ集積回路 ,  SOI構造 ,  電圧依存性 ,  キャリア捕獲 ,  焼なまし ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  耐放射線性 ,  X線照射 ,  重イオン照射 ,  ゲート【半導体】 ,  破壊 ,  *酸化ハフニウム ,  捕獲中心 ,  *照射損傷 ,  劣化
準シソーラス用語： ゲート電流

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOS ,  酸化物 ,  放射線効果