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J-GLOBAL ID：200902203796333120   整理番号：04A0849161

マイクロ波プラズマCVDによるダイヤモンドの高速ホモエピタキシャル成長過程での窒素添加効果

The effect of nitrogen addition during high-rate homoepitaxial growth of diamond by microwave plasma CVD

著者 (7件)： CHAYAHARA A (AIST, Osaka, JPN) ,  MOKUNO Y (AIST, Osaka, JPN) ,  HORINO Y (AIST, Osaka, JPN) ,  TAKASU Y (AIST, Osaka, JPN) ,  KATO H (AIST, Osaka, JPN) ,  YOSHIKAWA H (AIST, Osaka, JPN) ,  FUJIMORI N (AIST, Osaka, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 13  号： 11/12  ページ： 1954-1958  発行年： 2004年11月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2種類の基板ホルダを用い,CVD過程で窒素を添加し,製膜速度...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロ波プラズマCVD ,  ダイヤモンド ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  過程 ,  窒素 ,  添加効果