光酸化による高絶縁超薄SiO<sub>2</sub>膜の成長

FUKANO A; OYANAGI H

文献

J-GLOBAL ID：200902203926283588 整理番号：03A0637726

光酸化による高絶縁超薄SiO₂膜の成長

Highly insulating ultrathin SiO₂ film grown by photooxidation

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巻： 94 号： 5 ページ： 3345-3349 発行年： 2003年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光酸化によりSi(001)基板上に標記超薄膜(<5nm)を低...

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酸化物薄膜

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光酸化による高絶縁超薄SiO2膜の成長

光酸化による高絶縁超薄SiO₂膜の成長