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J-GLOBAL ID：200902203952564854   整理番号：08A0578567

45nm技術ノードLP N-MOSFETの統計的変動源の定量評価

Quantitative Evaluation of Statistical Variability Sources in a 45-nm Technological Node LP N-MOSFET

著者 (8件)： CATHIGNOL Augustin (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CATHIGNOL Augustin (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA) ,  CHENG B. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  CHANEMOUGAME D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  BROWN A. R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  ROCHEREAU K. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GHIBAUDO G. (IMEP-LAHC, Grenoble, FRA) ,  ASENOV A. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 6  ページ： 609-611  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタ特性の統計的変動は,将来の技術ノードの主な課題の一つであることが明らかになってきた。45nm技術世代に相当する低電力(LP)バルクN-MOSFETについて,ポリシリコンゲートの寄与を含む,統計的変動の諸源の寄与に関する定量評価を行った。同一の完全補正素子について行った,45nm LP技術プラットフォームN-MOSFETの局所的統計変動性の実験測定と原子論的シミュレーションにより,無秩序離散ドーパント(RDD),ラインエッジ粗さ(LER)とポリシリコンゲート粒度(PGG)の影響をシミュレーションで定量化した総合シミュレーション結果と測定結果は一致した。ポリゲート寄与に関しては,結晶粒界でのフェルミ準位ピニングのエネルギー位置の評価を中心に行った。シミュレーション結果,RDDは依然として統計的変動性(~65%)の主な真性源であるが,PGG(~24%)の影響は,強いプロセス(成長とアニール処理条件)依存性を示す,フェルミ準位ピニング位置に強く依存することを示した。

シソーラス用語： *定量的分析 ,  *MOSFET ,  ドーパント ,  多結晶 ,  ケイ素 ,  結晶粒界 ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  *可変性 ,  *統計的推定 ,  電位分布 ,  CAD【計算機】 ,  キャリブレーション
準シソーラス用語： TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  LP ,  MOSFET ,  統計 ,  定量評価