文献

J-GLOBAL ID：200902203998036313   整理番号：05A0542217

単一の熱処理によって形成した4H-SiC上でのNi/Ti OhmおよびSchottky接触

Ni/Ti ohmic and Schottky contacts on 4H-SiC formed with a single thermal treatment

著者 (5件)： PEREZ R. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MESTRES N. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  TOURNIER D. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  GODIGNON P. (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MILLAN J. (CSIC, Bellaterra, ESP)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 14  号： 3/7  ページ： 1146-1149  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる熱処理を施した4H-SiC上でのNi/Ti二層接触の挙...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： PNダイオード

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0542217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0498A") }}

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  4H-SiC ,  Ni ,  Ti ,  Schottky接触