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J-GLOBAL ID：200902204036057501   整理番号：06A0716295

HiSIM2:RF回路シミュレーション用最新MOSFETモデルの正確度

HiSIM2: Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation
著者 (18件)：
MIURA-MATTAUSCH Mitiko

MIURA-MATTAUSCH Mitiko について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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SADACHIKA Norio

SADACHIKA Norio について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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NAVARRO Dondee

NAVARRO Dondee について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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SUZUKI Gaku

SUZUKI Gaku について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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SUZUKI Gaku

SUZUKI Gaku について

(Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN)

Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN について

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TAKEDA Youichi

TAKEDA Youichi について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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TAKEDA Youichi

TAKEDA Youichi について

(Sanyo Electric Corp., Osaka, JPN)

Sanyo Electric Corp., Osaka, JPN について

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MIYAKE Masataka

MIYAKE Masataka について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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WARABINO Tomoyuki

WARABINO Tomoyuki について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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MIZUKANE Yoshio

MIZUKANE Yoshio について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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INAGAKI Ryosuke

INAGAKI Ryosuke について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について

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EZAKI Tatsuya

EZAKI Tatsuya について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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MATTAUSCH Hans Juergen

MATTAUSCH Hans Juergen について

(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN について

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OHGURO Tatsuya

OHGURO Tatsuya について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について

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IIZUKA Takahiro

IIZUKA Takahiro について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について

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TAGUCHI Masahiko

TAGUCHI Masahiko について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について

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KUMASHIRO Shigetaka

KUMASHIRO Shigetaka について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について

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MIYAMOTO Shunsuke

MIYAMOTO Shunsuke について

(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)

Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN について


資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)

IEEE Transactions on Electron Devices について


巻： 53  号： 9  ページ： 1994-2007  発行年： 2006年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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MOSFETのダウンスケーリング技術は,急速に進展し,デバイ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

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準シソーラス用語：
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*MOSFETモデル

MOSFETモデル について

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  集積回路一般 
(NC03161C)

集積回路一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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RF回路

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シミュレーション

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MOSFET

MOSFET について

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モデル

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正確度

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