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J-GLOBAL ID：200902204082454647   整理番号：06A0064322

希薄磁性半導体での埋込まれたクラスタ形成の役割 CrドープGaN

Role of Embedded Clustering in Dilute Magnetic Semiconductors: Cr Doped GaN

著者 (6件)： CUI X. Y. (Univ. Sydney, New South Wales, AUS) ,  MEDVEDEVA J. E. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  DELLEY B. (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  FREEMAN A. J. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  NEWMAN N. (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  STAMPFL C. (Univ. Sydney, New South Wales, AUS)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 95  号： 25  ページ： 256404.1-256404.4  発行年： 2005年12月16日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体の磁性,特にCrドープGaNについて密度汎関数...

シソーラス用語： *磁性半導体 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 希薄磁性半導体 ,  埋込 ,  クラスタ形成 ,  役割 ,  Cr ,  ドープ ,  GaN