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J-GLOBAL ID：200902204115364002   整理番号：04A0656942

SODI構造をベースとする横型パワーデバイスによる高破壊電圧IC

A High Breakdown Voltage IC with Lateral Power Device based on SODI structure

著者 (5件)： AKIYAMA H (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  YASUDA N (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  MORITANI J (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  TAKANASHI K (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  MAJUMDAR G (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 16th  ページ： 375-378  発行年： 2004年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RESURF(Reduced Surface Field)は...

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,...
準シソーラス用語： SODI構造 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 横型 ,  パワーデバイス ,  破壊電圧 ,  IC