ゲート絶縁体としてSiO<sub>2</sub>およびSiNを用いたAlGaN/GaN-二重絶縁体型金属酸化膜半導体高電子移動度トランジスタの作製

BALACHANDER Krishnan; ARULKUMARAN Subramaniam; SANO Y.; EGAWA Takashi; BASKAR Krishnan

文献

J-GLOBAL ID：200902204470423702 整理番号：05A0351745

ゲート絶縁体としてSiO₂およびSiNを用いたAlGaN/GaN-二重絶縁体型金属酸化膜半導体高電子移動度トランジスタの作製

Fabrication of AlGaN/GaN double-insulator metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using SiO₂ and SiN as gate insulators

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Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

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巻： 202 号： 4 ページ： R32-R34 発行年： 2005年03月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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ゲート絶縁体としてSiO2およびSiNを用いたAlGaN/GaN-二重絶縁体型金属酸化膜半導体高電子移動度トランジスタの作製

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