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J-GLOBAL ID：200902204572388014   整理番号：08A0187726

積極的に縮尺した45nmバルクCMOS技術において重要な役目を果たす高性能トランジスタ

High Performance Transistors Featured in an Aggressively Scaled 45nm Bulk CMOS Technology

著者 (40件)： LUO Z. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  ROVEDO N. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  ONG S. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  PHOONG B. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  ELLER M. (Infineon Technol. AG) ,  UTOMO H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  RYOU C. (Samsung Electronics Co., Ltd) ,  WANG H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  STIERSTORFER R. (Infineon Technol. AG) ,  CLEVENGER L. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KIM S. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  TOOMEY J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  SCIACCA D. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  LI J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  WILLE W. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  ZHAO L. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  TEO L. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  DYER T. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  FANG S. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  YAN J. (Infineon Technol. AG) ,  KWON O. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KWON O. (Infineon Technol. AG) ,  PARK D. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HOLT J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HAN J. (Infineon Technol. AG) ,  CHAN V. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  YUAN J. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KEBEDE T. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  LEE H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  KIM S. (Infineon Technol. AG) ,  LEE S. (Samsung Electronics Co., Ltd) ,  VAYSHENKER A. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  YANG Z. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  TIAN C. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  NG H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  SHANG H. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY) ,  HIERLEMANN M. (Infineon Technol. AG) ,  KU J. (Samsung Electronics Co., Ltd) ,  SUDIJONO J. (Chartered Semiconductor Manufacturing) ,  IEONG M. (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center (SRDC), NY)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2007  ページ： 14-15  発行年： 2007年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能45nmバルクCMOS技術を提示した。最先端ストレッサー,最適化熱プロセス,その他の新技術要素の活用と統合化によって,積極的な面積縮小と優れたトランジスタ性能を両立させた。コアNFETとPFETにおいて,それぞれ1150μA/μm,785μA/μmの世界最高の駆動電流を実現した。最小で0.249μm²まで縮小したSRAMセルも提示した。超低kバックエンド絶縁膜(k=2.4)を多重BEOL層に用い,配線遅延を下げた。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  電流 ,  SRAM ,  半導体プロセス ,  絶縁膜 ,  スケーリング【計数】 ,  レーザアニーリング ,  ケイ化物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  記憶素子
準シソーラス用語： BEOL ,  SiGe ,  ストレッサー【半導体】 ,  メモリセル ,  駆動電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 縮尺 ,  バルク ,  CMOS技術 ,  役目 ,  高性能 ,  トランジスタ