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J-GLOBAL ID：200902204623769271   整理番号：08A1272502

3Dシリコン集積化

3D Silicon Integration

著者 (11件)： KNICKERBOCKER J. U. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  ANDRY P. S. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  DANG B. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  HORTON R. R. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  PATEL C. S. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  POLASTRE R. J. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  SAKUMA K. (IBM Tokyo Res. Lab., Kanagawa) ,  SPROGIS E. S. (IBM Systems and Technol. Group, Vermont) ,  TSANG C. K. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  WEBB B. C. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  WRIGHT S. L. (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 58th Vol.1  ページ： 538-543  発行年： 2008年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3次元(3D)チップ集積化により,小型化,広帯域幅,低電力,高性能とシステム封止を可能にする。産業界とIBMでは,貫通シリコンビア(TSV),薄型シリコンとシリコン-シリコン間相互接続を用いた,3Dシリコン集積化の研究を続け,その製品の初出荷を2008年に開始すると発表した。産業界での3Dチップ集積化の最近の進展状況と3Dシリコン集積化を目標とした設計,技術課題と進歩に関するIBMでの進展状況について報告した。IBMでは,試験試料の設計,作製,特性評価とモデリングの研究・実験を行ってきた。シリコン系構造のプロセス学習,ファインピッチ・チップ相互接続のアセンブリー・プロセス比較,電気特性,機械的特性と熱特性評価と信頼性&加速ストレス特性評価に基づき,堅牢な構造とプロセスを開発した。また,複合物,銅とタングステン金属を用いて,TSV技術を検討した。ファインピッチ配線のサブミクロン線幅と間隔から大寸法までの配線を実現した。100入出力(I/O)/mm²,400I/O/mm²などの形状サイズと2500I/O/mm²を得る相互接続形状サイズのI/O相互接続について検討した。さらに,110nF/mm²/層の集積源結合キャパシターとセラミックまたは有機基板パッケージを用いて,シリコンパッケージ上モジュール構造のアセンブリーを実現した。電気特性,機械的特性と信頼性の評価結果とともに,堅牢性TSV構造と特性評価,シリコンインタポーザを用いた単一ダイ,シリコンパッケージ上複数ダイおよび積層ダイアセンブリーの例を紹介した。

シソーラス用語： *三次元 ,  *ケイ素 ,  バイアホール ,  相互接続 ,  半導体チップ ,  積層構造 ,  母線 ,  最適設計 ,  配線 ,  ウエハ【IC】 ,  CMOS構造 ,  *LSI【IC】 ,  ICパッケージ ,  ピッチ【機械要素】
準シソーラス用語： TSV

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3D ,  シリコン ,  集積化