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J-GLOBAL ID：200902204904484560   整理番号：08A0231880

(Ga,Mn)Asベース二重障壁磁気トンネル接合における非常に低いしきい電流密度の電流駆動磁化反転

Current-driven magnetization reversal at extremely low threshold current density in (Ga,Mn)As-based double-barrier magnetic tunnel junctions

著者 (5件)： WATANABE Maya (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  OKABAYASHI Jun (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  TOYAO Hiroshi (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  YAMAGUCHI Takeshi (Quantum Nanoelectronics Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  YOSHINO Junji (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 8  ページ： 082506  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2.0×10⁴A/cm²の非常に低いしきい電流密度における電流駆動磁化方向反転を,上下MTJ間にサンドイッチにされた(Ga,Mn)Asベース二重障壁磁気トンネル接合(MTJ)で得た。中間非磁性層の厚み依存性は,低いしきい電流密度が非磁性層の小さい磁化だけでなく,上下MTJを通るスピン分極電流によって生じるスピントルクの増大にもよることを明確に実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  マンガン化合物 ,  *ヒ化物 ,  *トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  障壁 ,  閾値 ,  電流密度 ,  *磁化反転 ,  磁化 ,  厚み ,  スピン分極 ,  トルク ,  化合物半導体

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ga ,  Mn ,  障壁 ,  磁気トンネル接合 ,  しきい電流 ,  密度 ,  電流駆動 ,  磁化反転