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J-GLOBAL ID：200902204915546990   整理番号：03A0338349

SiCのスライシングおよび研磨加工に伴う欠陥に関する研究

Research on crystalline defects introduced by slicing and polishing SiC polycrystalline.

著者 (3件)： 河合伸泰 (福井工大) ,  後藤徹 (福井工大) ,  脇浜智 (福井工大 大学院)
資料名： 福井工業大学研究紀要  (Memoirs of Fukui University of Technology)
号： 33 第1部  ページ： 111-118  発行年： 2003年03月20日 
JST資料番号： X0305A  ISSN： 0286-8571  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 加工に伴う欠陥の導入について評価するために,SiC多結晶体の...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： スライシング

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分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

物質索引 (1件)： グリセリン

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  スライシング ,  研磨加工 ,  欠陥 ,  研究