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J-GLOBAL ID：200902205084193685   整理番号：05A0265534

薄いかつ高いAl組成障壁層を持つCat-CVD SiN不動態化AlGaN-GaN HFET

Cat-CVD SiN-Passivated AlGaN-GaN HFETs With Thin and High Al Composition Barrier Layers

著者 (3件)： HIGASHIWAKI M (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  HIROSE N (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI T (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 3  ページ： 139-141  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_0.4Ga<sub>0.6</su...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  組成 ,  障壁層 ,  Cat-CVD ,  SiN ,  不動態化 ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET