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J-GLOBAL ID:200902205084193685   整理番号:05A0265534

薄いかつ高いAl組成障壁層を持つCat-CVD SiN不動態化AlGaN-GaN HFET

Cat-CVD SiN-Passivated AlGaN-GaN HFETs With Thin and High Al Composition Barrier Layers
著者 (3件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 139-141  発行年: 2005年03月 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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