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J-GLOBAL ID：200902205210597762   整理番号：09A0480157

In_xGa_1-xAs結晶基板上へのZnSeのMBE成長

Growth of ZnSe on In_xGa_1-xAs substrate by Molecular Beam Epitaxy

著者 (8件)： 本間一臣 (北海道工大 大学院工学研究科) ,  共佳 (北海道工大 大学院工学研究科) ,  一戸善弘 (北海道工大 大学院工学研究科) ,  今井和明 (北海道工大) ,  澤田孝幸 (北海道工大) ,  鈴木和彦 (北海道工大) ,  木村信行 (北海道工大) ,  木村尚仁 (北海道工大)
資料名： 北海道工業大学研究紀要  (Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology)
号： 37  ページ： 219-222  発行年： 2009年03月24日 
JST資料番号： Y0585A  ISSN： 0385-0862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MBEによる,In_xGa_1-xAs結晶基板上へのZnSeの薄膜成長を研究した。本研究は,In_xGa_1-xAs基板上への格子整合成長を最終目的としている。この基板上にZnSeを堆積したときの,基板自身の結晶性,及び成長したZnSeをエッチングにより除去したときの結晶性の変化について得たデータを報告した。クロムエッチングが,In_xGa_1-xAs基板の結晶性を保ったまま,ZnSeを除去する有効な手段であることが分かった。ZnSe除去の完全性については,エッチング時間,エッチャント組成の割合及び種類などをさらに検討する必要がある。

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  基板 ,  *MBE成長 ,  格子整合 ,  結晶度 ,  *エッチング
準シソーラス用語： *結晶性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶 ,  ZnSe ,  MBE成長